Trouscht Natching Technologie ass ee vun de Schlëssel Prozesser. Trouscht Etching Gas ass e Schlësselmaterial an der Semikoffabléierhaber an engem wichtege Gasquelle fir Plasma Etching. Seng Leeschtung beaflosst direkt d'Qualitéit an d'Performance vum Finale Produkt. Ech hunn haaptsächlech leeën wéi och déiselwecht opguittent Etapps am trach Eckrschungsprozess.
Fluorin-baséiert Gasen: wéiKuelestoff Tetrafluoride (CF4), Hexafethaut (C2F6), Thefruloomethane (ChF3) an de perfluoprophone (C3f8). Dës Gase kënnen effektiv quolatile Fluoriden generéieren wann et e Silicon a Silizon Verbindungen erlaben, doduerch.
Chlor-baséiert Gasen: wéi Chlor (Cl2),Boron Trichlorid (BCL3)a Silicon Tetraschlorid (SICL4). Chlor-baséiert Gaaschten kënnen de Chliquiden iwwer den Echschstandsprozess ubidden, wat hëlleft den Etchagungsrate ze verbesseren a Selbstliewe verbesseren.
Bromine-baséiert Gasen: wéi Bromine (Br2) a Bromine iiodide (Ibr). Brombahl-baséiert Gase kënnen d'besserer Etikéierung vun der gewëssener Etchingsprozesser ubidden, besonnesch wann et schwéier Materialer wéi e Silizider.
Stiergen-baséiert a Sauerstoffbaséiert Gase: Wéi Nitrogen Trifluoride (NF3) a Sauerstoff (O2). Dës Gase ginn normalerweis benotzt fir d'Reaktiounsbedingungen am Etching Prozess unzepassen fir d'Selektivitéit vun der der Éilitéit ze verbesseren.
Dës Gase ginn präzis Etapping vun der Quantitéit Uewerfläch duerch eng Kombinatioun vu physesche Spatz a chemescht Reaktiounen wärend Plasma asching. De Chantier vun den Etichtgang hänkt vun der Zort vun Material of datt se gewielt häten kann d'Bewäertunge vun der Hëllef u sinn, an de gewënschten den Hëllefing Turiit.
Postzäit: Feb-08-2025
