Spezialgaserënnerscheede sech vum AllgemengenIndustriegaserwell se spezialiséiert Uwendungen hunn a a spezifesche Beräicher agesat ginn. Si hunn spezifesch Ufuerderungen u Rengheet, Ongereinheetsgehalt, Zesummesetzung a physikalesch a chemesch Eegeschaften. Am Verglach mat Industriegase si Spezialgase méi divers an der Varietéit, awer hunn méi kleng Produktiouns- a Verkafsvolumen.

Dengemëschte GasenanStandard Kalibrierungsgaserdéi mir allgemeng benotzen, si wichteg Komponenten vu Spezialgaser. Gemëschte Gaser ginn normalerweis an allgemeng Gemëschte Gaser an elektronesch Gemëschte Gaser opgedeelt.

Allgemeng gemëschte Gase sinn ënner anerem:Laser gemëschte Gas, Instrumentdetektioun vu gemëschtem Gas, Schweessgemëschtem Gas, Konservéierungsgemëschtem Gas, elektresch Liichtquellgemëschtem Gas, medizinescht a biologescht Fuerschungsgemëschtem Gas, Desinfektiouns- a Sterilisatiounsgemëschtem Gas, Instrumentalarmgemëschtem Gas, Héichdrockgemëschtem Gas a Loft mat Nullgrad.

Elektronesch Gasmëschunge schléissen epitaktesch Gasmëschungen, chemesch Gasoflagerungsgasmëschungen, Dotiergasmëschungen, Ätzgasmëschungen an aner elektronesch Gasmëschungen an. Dës Gasmëschunge spille eng onverzichtbar Roll an der Hallefleeder- a Mikroelektronikindustrie a gi wäit verbreet an der Produktioun vu groussflächegen integréierte Schaltkreesser (LSI) an ganz groussflächegen integréierte Schaltkreesser (VLSI), souwéi an der Produktioun vu Hallefleederkomponenten, agesat.

5 Aarte vun elektronesche Gemëschgase sinn am meeschte verbreet

Dotierung vu gemëschtem Gas

Bei der Fabrikatioun vun Hallefleiterkomponenten an integréierte Schaltunge ginn verschidden Ongereinheeten an Hallefleitermaterialien agefouert, fir déi gewënschte Konduktivitéit a Widderstand ze vermëttelen, wat d'Fabrikatioun vu Widderstänn, PN-Verbindungen, verstoppte Schichten an aner Materialien erméiglecht. D'Gasen, déi am Dotierungsprozess benotzt ginn, ginn Dotiergase genannt. Zu dëse Gasen gehéieren haaptsächlech Arsin, Phosphin, Phosphortrifluorid, Phosphorpentafluorid, Arsentrifluorid, Arsenpentafluorid,Bortrifluorid, an Diboran. D'Dotierungsquell gëtt typescherweis mat engem Trägergas (wéi Argon a Stéckstoff) an engem Quellschrank gemëscht. Dat gemëscht Gas gëtt dann kontinuéierlech an en Diffusiounsuewen injizéiert a zirkuléiert ronderëm de Wafer, wouduerch den Dotierungsstoff op der Waferuewerfläch ofgesat gëtt. Den Dotierungsstoff reagéiert dann mat Silizium fir en Dotierungsmetall ze bilden, deen an de Silizium migréiert.

Epitaktesch Wuessgasmëschung

Epitaktesch Wuesstem ass de Prozess vun der Oflagerung an der Wuesstem vun engem Eenkristallmaterial op enger Substratoberfläche. An der Hallefleederindustrie ginn d'Gaser, déi benotzt gi fir eng oder méi Schichten vu Material mat Hëllef vun der chemescher Dampfoflagerung (CVD) op engem suergfälteg ausgewielte Substrat ze wuessen, epitaktesch Gaser genannt. Heefeg Silizium-Epitaxialgaser enthalen Dihydrogendichlorsilan, Siliziumtetrachlorid a Silan. Si gi virun allem fir epitaktesch Siliziumoflagerung, polykristallin Siliziumoflagerung, Siliziumoxidfilmoflagerung, Siliziumnitridfilmoflagerung an amorph Siliziumfilmoflagerung fir Solarzellen an aner photosensitiv Apparater benotzt.

Ionenimplantatiounsgas

An der Fabrikatioun vu Hallefleiterapparater an integréierte Schaltkreesser ginn d'Gaser, déi am Ionenimplantatiounsprozess benotzt ginn, kollektiv als Ionenimplantatiounsgaser bezeechent. Ioniséiert Ongereimtheeten (wéi Bor-, Phosphor- an Arsenionen) ginn op en héijen Energieniveau beschleunegt, ier se an de Substrat implantéiert ginn. Ionenimplantatiounstechnologie gëtt am wäitesten benotzt fir d'Schwellspannung ze kontrolléieren. D'Quantitéit vun den implantéierten Ongereimtheeten kann duerch d'Miessung vum Ionenstrahlstroum bestëmmt ginn. Ionenimplantatiounsgaser enthalen typescherweis Phosphor-, Arsen- a Borgaser.

Ätzen vu gemëschtem Gas

Ätzen ass de Prozess vum ewechätzen vun der veraarbechter Uewerfläch (wéi Metallfilm, Siliziumoxidfilm, asw.) um Substrat, déi net vum Photoresist maskéiert ass, wärend de vum Photoresist maskéierte Beräich erhale bleift, fir dat gewënscht Bildmuster op der Substratoberfläch ze kréien.

Chemesch Dampfdepositiounsgasmëschung

Chemesch Gasoflagerung (CVD) benotzt flüchteg Verbindungen, fir eng eenzeg Substanz oder Verbindung duerch eng chemesch Reaktioun an der Gasphas ofzesetzen. Dëst ass eng Filmbildungsmethod, déi chemesch Reaktiounen an der Gasphas benotzt. Déi benotzt CVD-Gaser variéieren jee no der Aart vum Film, deen geformt gëtt.