Epitaktesch (Wuesstum)Gemëschte Gas

An der Hallefleederindustrie gëtt dat Gas, dat benotzt gëtt fir eng oder méi Schichten vu Material duerch chemesch Gasfläschoflagerung op engem suergfälteg ausgewielte Substrat ze wuessen, epitaktesch Gas genannt.

Dacks benotzt Silizium-Epitaxialgase sinn Dichlorsilan, Siliziumtetrachlorid aSilanHaaptsächlech benotzt fir epitaxial Siliziumoflagerung, Siliziumoxidfilmoflagerung, Siliziumnitridfilmoflagerung, amorph Siliziumfilmoflagerung fir Solarzellen an aner Photorezeptoren, etc. Epitaxie ass e Prozess, bei deem en Eenkristallmaterial ofgesat a gewuess ass op der Uewerfläch vun engem Substrat.

Chemesch Dampfdepositioun (CVD) Gemëscht Gas

CVD ass eng Method fir bestëmmt Elementer a Verbindungen duerch chemesch Reaktiounen an der Gasphas mat flüchtege Verbindungen ofzesetzen, also eng Filmbildungsmethod mat chemesche Reaktiounen an der Gasphas. Jee no der Aart vum geformte Film ass och de benotzte chemesche Vapordepositiounsgas (CVD).

DopingGemëschte Gas

Bei der Fabrikatioun vun Hallefleiterkomponenten an integréierte Schaltunge ginn verschidden Ongereinheeten an Hallefleitermaterialien dotéiert, fir de Materialien déi erfuerderlech Konduktivitéit an e gewësse Widderstand ze ginn, fir Widderstänn, PN-Verbindungen, vergrabene Schichten, asw. ze produzéieren. De Gas, deen am Dotierungsprozess benotzt gëtt, gëtt Dotiergas genannt.

Haaptsächlech enthält Arsin, Phosphin, Phosphortrifluorid, Phosphorpentafluorid, Arsentrifluorid, Arsenpentafluorid,Bortrifluorid, Diboran, etc.

Normalerweis gëtt d'Dotierungsquell mat engem Trägergas (wéi Argon a Stéckstoff) an engem Quellschrank gemëscht. Nom Mëschen gëtt de Gasstroum kontinuéierlech an den Diffusiounsuewen injizéiert an ëmgëtt de Wafer, wouduerch Dotierungsmëttel op der Uewerfläch vum Wafer ofgesat ginn an dann mat Silizium reagéiert ginn, fir dotiert Metaller ze generéieren, déi an de Silizium migréieren.

ÄtzungGasmëschung

Ätzen ass d'Veraarbechtungsuewerfläch (wéi Metallfilm, Siliziumoxidfilm, asw.) um Substrat ouni Photoresistmaskéierung ewechzeätzen, wärend de Beräich mat Photoresistmaskéierung erhale bleift, fir dat gewënscht Bildmuster op der Substratuewerfläch ze kréien.

Ätzmethoden ëmfaassen naass chemesch Ätzen an dréchen chemesch Ätzen. De Gas, deen an der dréchener chemescher Ätze benotzt gëtt, gëtt Ätzgas genannt.

Ätzgas ass normalerweis Fluoridgas (Halogenid), wéi z.B.Kuelestofftetrafluorid, Stéckstofftrifluorid, Trifluormethan, Hexafluorethan, Perfluorpropan, etc.