EPITaxial (Wuesstem)Gemëschte Gas

An der Semikallander Industrie, de Gas benotzt fir eng oder méi Schichten vu Material ze wuessen duerch chemesch Vaporpolitik op engem suergfälteg Ausgewielte Gester, genannt gëtt epizät.

Allgemeng benotzt Silicon Epitaxial Gasen enthalen Dichlorosilanien, Silicon Tetrachlatid asilansAn. Haaptsächlech fir Epitaxial Silicon Depositioune benotzt an op der Uewerfläch vun engem Substrat vun der Silicon niticon-Deputement ze ginn,. Ephicon-Depositiounszellen an aner Fotospositors an aner Fotospositioune fir Solophispositioune fir d'Solicsakositioun ass e Prozess an deem en eenzege Kristallmaterial benotzt gëtt

Chemesch Damppolitik (CVD) gemëschte Gas gemëscht

CVD ass eng Method fir verschidden Elementer ze decidéiert vu Gasphase charmant Reaktiounen mat Gaspasiounspolitiker Weiderbiounen mat Gasphasiounen mat Gaspasiounspakt. Ofhängeg vun der Aart vu Film forméiert, déi chemesch Dampendéierung (CVD) Gas benotzt ass och anescht.

Dozou sinnGemëschte Gas

An der Episod vun de Smalopfrentateurséilungen an integréiert Cracis, gewësse Geleatie ginn an den Disunantitéit am Gas benotzt fir d'Fachbarkeet unzegebuechten, agezuessend Layuren, déi an der Fabrikatioun vun de Äerdbehäl an integréiert Camionën ze ginn an d'Féierung Déierung fir d'Ressourcë fir d'Féierung als Ellistents ouni Futtrioteren, wouhaft goufoziéiert, Péng Eklidenten, stänneg Rabataire Types.

Haaptsächlech enthält Aristine, Phosphine, Phosphor Tifluoride, pemafluoride, arrendic trifluide, arüflech Pentafualiside, arsafluidideboron trifluoride, Diabanane, asw.

Normalerweis ass d'Dopingquell gemëscht mat engem Carriergas (wéi Argon an Stierstoff) an engem Quellabinet. Nom Mixen, de Gasflow gëtt kontinuéierlech an d'Diffusioun amgaang an der Wénker vun de Wafer, déi op der Uewerfläch vum Waferei ofgezeechent huet, an duerno mat Silizit ze reagéieren, déi mam Silicon reagéiere fir an Silizit ze generéieren.

Et geplangtGasmëschung

Etching ass fir d'Veraarbechtungsfläch ewech ze ginn (wéi Metal Film, Silicon Oxid Film, asw.) Op der Substrat, wärend Dir déi erfuerderlech Isserverbiller op der Substrat

Den Etchingmethoden enthalen naass chemesch etching an trocken chemesch etching. De Gas benotzt a trocken chemeschen Etching ass et genannte Gas genannt.

Etching Gas ass normalerweis fluoridgas (halide), wéiKuelestoff Tetrafluoride, leitrogen Trifheoreur, déi den Carribometahne, hienxafluorooshaut, Pflizoproorolog, asw.